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MOCVD\/HVPE生长宽禁
[上架时间]
2024/12/27
[摘要]
中芯晶研牌的MOCVD\/HVPE生长宽禁带半导体氮化镓(GaN)薄膜片产品:估价:\u9762\u8bae,规格:完善
厦门中芯晶研半导体有限公司
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MOCVD\/HVPE生长硅\
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2024/12/27
[摘要]
中芯晶研牌的MOCVD\/HVPE生长硅\/碳化硅\/蓝宝石基氮化镓(GaN)薄膜片产品:估价:\u9762\u8bae
厦门中芯晶研半导体有限公司
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碳化硅(SiC)外延片用于SB
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2024/12/27
[摘要]
中芯晶研牌的碳化硅(SiC)外延片用于SBD,MOSFET,MESFET等器件制备,可定制产品:估价:\u9762\u8
厦门中芯晶研半导体有限公司
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N型、P型、半绝缘型4H-Si
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2024/12/27
[摘要]
中芯晶研牌的N型、P型、半绝缘型4H-SiC单晶切割、抛光、超薄衬底片,可定制产品:估价:\u9762\u8bae,规格
厦门中芯晶研半导体有限公司
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III-V族直接带隙半导体:导
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2024/12/27
[摘要]
中芯晶研牌的III-V族直接带隙半导体:导电型与半绝缘型氮化镓(GaN)衬底产品:估价:\u9762\u8bae,规格:
厦门中芯晶研半导体有限公司
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外延级N型与半绝缘型4H碳化硅
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2024/12/27
[摘要]
中芯晶研牌的外延级N型与半绝缘型4H碳化硅(4H-SiC)衬底晶片产品:估价:\u9762\u8bae,规格:完善,产品
厦门中芯晶研半导体有限公司
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单面或双面抛光N型、P型砷化铟
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2024/12/27
[摘要]
中芯晶研牌的单面或双面抛光N型、P型砷化铟(InAs)半导体晶片产品:估价:\u9762\u8bae,规格:完善,产品系
厦门中芯晶研半导体有限公司
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宽禁带半导体:氮化镓(GaN)
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2024/12/27
[摘要]
中芯晶研牌的宽禁带半导体:氮化镓(GaN)单晶自支撑衬底片产品:估价:\u9762\u8bae,规格:完善,产品系列编号
厦门中芯晶研半导体有限公司
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III-V化合物半导体锑化铟(
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2024/12/27
[摘要]
中芯晶研牌的III-V化合物半导体锑化铟(InSb)衬底晶片,N、P型产品:估价:\u9762\u8bae,规格:完善,
厦门中芯晶研半导体有限公司
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N型、P型、半绝缘型砷化镓(G
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2024/12/27
[摘要]
中芯晶研牌的N型、P型、半绝缘型砷化镓(GaAs)半导体衬底晶片产品:估价:\u9762\u8bae,规格:完善,产品系
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