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[摘要] 中芯晶研牌的供应磷化铟（InP）单晶片用于制备LD、HEMT等器件产品：估价：面议，规格：完善，产品系列编号：齐全厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的宽禁带半导体：氮化镓（GaN）单晶自支撑衬底片产品：估价：面议，规格：完善，产品系列编号：齐全厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的三五族半导体N型、P型锑化镓（GaSb）晶片，单面、双面抛光产品：估价：面议，规格：完善，产品系列编号：齐全厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的外延生长砷化镓（GaAs）薄膜用于微波射频器件产品：估价：面议，规格：完善，产品系列编号：齐全厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的N型、P型、半绝缘型砷化镓（GaAs）半导体衬底晶片产品：估价：面议，规格：完善，产品系列编号：齐全厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的常规与定制结构碳化硅（SiC）外延片用于功率器件产品：估价：面议，规格：完善，产品系列编号：齐全厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的高均匀性、低缺陷密度SiC外延片功率器件制造核心材料产品：估价：1.00，规格：完善，产品系列编号：齐全厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的砷化镓（GaAs）外延片：Hall、HEMT、HBT、LD、LED器件应用产品：估价：面议，规格：完善，产品厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的III-V族直接带隙半导体：导电型与半绝缘型氮化镓（GaN）衬底产品：估价：面议，规格：完善，产品系列编号：厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的高导热SiC单晶衬底切割服务支持4\/6\/8英寸晶片产品：估价：1.00，规格：N型，产品系列编号：N型厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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