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• 锑化镓（GaSb）单晶III- [上架时间]2025/12/6
  [摘要] 中芯晶研牌的锑化镓（GaSb）单晶III-V族化合物半导体生产可供衬底与外延片产品：估价：面议，规格：完善，产品系列编号
  厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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• 高效能高稳定性SiC外延片，适 [上架时间]2025/12/6
  [摘要] 中芯晶研牌的高效能高稳定性SiC外延片，适用于高频、高温环境，推动绿色能源发展产品：估价：1.00，规格：完善，产品系列
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• MOCVD\/HVPE生长宽禁 [上架时间]2025/12/6
  [摘要] 中芯晶研牌的MOCVD\/HVPE生长宽禁带半导体氮化镓（GaN）薄膜片产品：估价：面议，规格：完善，产品系列编号：齐全
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• 半导体厂商供应III-V化合物 [上架时间]2025/12/6
  [摘要] 中芯晶研牌的半导体厂商供应III-V化合物砷化铟（InAs）单晶片产品：估价：面议，规格：完善，产品系列编号：齐全
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• 外延级N型与半绝缘型4H碳化硅 [上架时间]2025/12/6
  [摘要] 中芯晶研牌的外延级N型与半绝缘型4H碳化硅(4H-SiC)衬底晶片产品：估价：面议，规格：完善，产品系列编号：齐全
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• MOCVD\/HVPE生长宽禁 [上架时间]2025/3/27
  [摘要] 中芯晶研牌的MOCVD\/HVPE生长宽禁带半导体氮化镓（GaN）薄膜片产品：估价：\u9762\u8bae，规格：完善
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• N型、P型、半绝缘型4H-Si [上架时间]2025/3/27
  [摘要] 中芯晶研牌的N型、P型、半绝缘型4H-SiC单晶切割、抛光、超薄衬底片，可定制产品：估价：\u9762\u8bae，规格
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• 供应磷化铟（InP）单晶片用于 [上架时间]2025/3/27
  [摘要] 中芯晶研牌的供应磷化铟（InP）单晶片用于制备LD、HEMT等器件产品：估价：\u9762\u8bae，规格：完善，产品
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• 中芯晶研供应外延级化合物半导体 [上架时间]2025/3/27
  [摘要] 中芯晶研牌的中芯晶研供应外延级化合物半导体砷化镓（GaAs）单晶片产品：估价：\u9762\u8bae，规格：完善，产品
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• III-V族直接带隙半导体：导 [上架时间]2025/3/27
  [摘要] 中芯晶研牌的III-V族直接带隙半导体：导电型与半绝缘型氮化镓（GaN）衬底产品：估价：\u9762\u8bae，规格：
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