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• 高效能高稳定性SiC外延片，适 [上架时间]2025/3/27
  [摘要] 中芯晶研牌的高效能高稳定性SiC外延片，适用于高频、高温环境，推动绿色能源发展产品：估价：1.00，规格：完善，产品系列
  厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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• 超薄SiC外延片厚度5μm±0 [上架时间]2025/3/27
  [摘要] 中芯晶研牌的超薄SiC外延片厚度5μm±0.5μm高精度控制高频功率、低损耗材料产品：估价：1.00，规格：完善，产品系
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• 碳化硅（SiC）外延片用于SB [上架时间]2025/3/27
  [摘要] 中芯晶研牌的碳化硅（SiC）外延片用于SBD，MOSFET，MESFET等器件制备，可定制产品：估价：\u9762\u8
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• MOCVD\/HVPE生长硅\ [上架时间]2025/3/27
  [摘要] 中芯晶研牌的MOCVD\/HVPE生长硅\/碳化硅\/蓝宝石基氮化镓（GaN）薄膜片产品：估价：\u9762\u8bae
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• 三五族半导体N型、P型锑化镓（ [上架时间]2025/3/27
  [摘要] 中芯晶研牌的三五族半导体N型、P型锑化镓（GaSb）晶片，单面、双面抛光产品：估价：\u9762\u8bae，规格：完善
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• （100）、(111)晶向N、 [上架时间]2025/3/27
  [摘要] 中芯晶研牌的（100）、(111)晶向N、P导电型单双抛锗（Ge）单晶片产品：估价：\u9762\u8bae，规格：完善
  厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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• 外延级N型与半绝缘型4H碳化硅 [上架时间]2025/3/27
  [摘要] 中芯晶研牌的外延级N型与半绝缘型4H碳化硅(4H-SiC)衬底晶片产品：估价：\u9762\u8bae，规格：完善，产品
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• 单面或双面抛光N型、P型砷化铟 [上架时间]2025/3/27
  [摘要] 中芯晶研牌的单面或双面抛光N型、P型砷化铟(InAs）半导体晶片产品：估价：\u9762\u8bae，规格：完善，产品系
  厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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• 宽禁带半导体：氮化镓（GaN） [上架时间]2025/3/27
  [摘要] 中芯晶研牌的宽禁带半导体：氮化镓（GaN）单晶自支撑衬底片产品：估价：\u9762\u8bae，规格：完善，产品系列编号
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• III-V化合物半导体锑化铟（ [上架时间]2025/3/27
  [摘要] 中芯晶研牌的III-V化合物半导体锑化铟（InSb）衬底晶片，N、P型产品：估价：\u9762\u8bae，规格：完善，
  厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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