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[摘要] 中芯晶研牌的外延生长砷化镓（GaAs）薄膜用于微波射频器件产品：估价：\u9762\u8bae，规格：完善，产品系列编号厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的半导体厂商供应III-V化合物砷化铟（InAs）单晶片产品：估价：\u9762\u8bae，规格：完善，产品厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的直径150mm、200mm导电型单晶4H碳化硅（4H-SiC）产品：估价：1.00，规格：N型，产品系列编号厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的供应宽禁带半导体：低缺陷密度碳化硅晶锭、晶片产品：估价：1.00，规格：N型，产品系列编号：N型厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的定制化碳化硅（SiC）外延服务支持多层结构设计产品：估价：1.00，规格：完善，产品系列编号：齐全厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的高均匀性、低缺陷密度SiC外延片功率器件制造核心材料产品：估价：1.00，规格：完善，产品系列编号：齐全厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的5G基站专用材料：半绝缘4H-SiC单晶——射频器件衬底产品：估价：1.00，规格：半绝缘，产品系列编号：半厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的SiC外延代工服务：支持4\/6英寸晶圆、科研机构\/企业定制产品：估价：1.00，规格：完善，产品系列编号厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的高导热SiC单晶衬底切割服务支持4\/6\/8英寸晶片产品：估价：1.00，规格：N型，产品系列编号：N型厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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[摘要] 中芯晶研牌的低应力低氧含量SiC抛光单晶片车规级MOSFET芯片制造产品：估价：1.00，规格：N型，产品系列编号：N型厦门中芯晶研半导体有限公司 [未核实]
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